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GS66508B-TR是一款增强型氮化镓-硅功率晶体管。GaN 的特性可实现高电流、高电压击穿和高开关频率。GaN Systems 利用获得专利的 Island Technology® 和 GaNPX® 封装等业界领先的先进技术进行创新。Island Technology® 单元布局实现了大电流芯片和高产量。GaNPX® 封装在小型封装中实现了低电感和低热阻。GS66508B-TR是底部冷却型晶体管，具有极低的结壳热阻，适用于要求苛刻的高功率应用。这些特性结合在一起，可提供极高效率的功率开关。

特性

650 V 增强型功率晶体管

底部冷却配置

RDS(on) = 50 mΩ

IDS(max) = 30 A

超低 FOM Island Technology® 芯片

低电感 GaNPX® 封装

简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V）

瞬态容差栅极驱动（-20 V / +10 V）

开关频率极高（> 10 MHz）

快速可控的下降和上升时间

反向电流能力

零反向恢复损耗

小巧的 7.0 x 8.4 mm2 PCB 基底面

源极检测 (SS) 引脚可优化栅极驱动

符合 RoHS 3 (6+4) 标准

应用

AC-DC 转换器

直流-直流转换器

无电桥图腾柱 PFC

逆变器

储能系统

车载电池充电器

不间断电源

太阳能

工业电机驱动器

家用电器

激光驱动器

无线电力传输

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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