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ISOS141-SEP 抗輻射器件是采用小型 16 引腳 QSOP 封裝的高性能四通道數(shù)字隔離器。每條隔離通道的邏輯 輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵 相隔離。該器件具有 100Mbps 的高數(shù)據(jù)速率、10.7ns 的低傳播延遲和 4ns 的通道間嚴(yán)格偏移，支持近地軌 道 (LEO) 航天應(yīng)用。ISOS141-SEP 器件具有三個正向 通道和一個反向通道，如果失去輸入功率或信號，默認(rèn) 輸出為低電平。使能引腳可用于將各輸出置于高阻抗， 適用于多主驅(qū)動應(yīng)用，還可降低功耗。 

ISOS141-SEP 在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 時，具有高電磁抗擾度和低輻射、低功耗特性。該器件 具有 100kV/μs 的高共模瞬態(tài)抗擾度，可輕松緩解系統(tǒng) 級 ESD、EFT 和浪涌問題，還通過創(chuàng)新的芯片設(shè)計簡 化了輻射方面的合規(guī)性。

特性

抗輻射

– 電離輻射總劑量 (TID) 特征值（無 ELDRS）=30krad(Si)

– TID RLAT/RHA = 30krad(Si)

– 單粒子鎖定 (SEL) 在 125°C 下對 LET 的抗擾度

= 43MeV?cm2/mg

– 單粒子絕緣擊穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗擾度(43MeV?cm2/mg)

? 增強型航天塑料（航天 EP）

– 符合 NASA ASTM E595 釋氣規(guī)格要求

– 供應(yīng)商項目圖 (VID) V62/21610

– 軍用級溫度范圍（-55°C 至 125°C）

– 同一晶圓制造場所

– 同一組裝和測試場所

– 金鍵合線，NiPdAu 鉛涂層

– 晶圓批次可追溯性

– 延長了產(chǎn)品生命周期

– 延長了產(chǎn)品變更通知周期

? 600VRMS 連續(xù)工作電壓

? 節(jié) 6.7：

– DIN VDE V 0884-11:2017-01

– UL 1577 組件認(rèn)證計劃

? 100 Mbps 數(shù)據(jù)速率

? 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V

? 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換

? 默認(rèn)輸出低

? 低功耗，1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.5mA

? 低傳播延遲：典型值為 10.7ns（5V 電源供電時）

? 通道間偏斜?。鹤畲?4ns（5V 電源供電時）

? CMTI 典型值為 ±100kV/μs

? 系統(tǒng)級 ESD、EFT、浪涌和磁抗擾度

? 小型 QSOP (DBQ-16) 封裝

應(yīng)用

? 近地軌道 (LEO) 航天應(yīng)用

? 信號隔離（RS-422、RS-485、CAN、SPI）

? 柵極驅(qū)動器隔離或 GaN 直流/直流轉(zhuǎn)換器的隔離式反饋

? 航天級隔離式直流/直流模塊

? 航天器電池管理系統(tǒng) (BMS)

? 衛(wèi)星推進(jìn)電源處理單元 (PPU)

? 發(fā)射器和著陸器系統(tǒng)

? 通信有效載荷

? 雷達(dá)成像有效載荷

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