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商品名稱(chēng):VNI4140KTR
數(shù)據(jù)手冊(cè):VNI4140KTR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HSSOP-24
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:6300 件
VNI4140KTR是一個(gè)采用意法半導(dǎo)體VIPower技術(shù)制造的單片器件,旨在驅(qū)動(dòng)四個(gè)獨(dú)立的電阻或電感負(fù)載,其中一側(cè)連接到地。有源電流限制避免了在負(fù)載短路的情況下系統(tǒng)電源掉電。內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù)芯片免受過(guò)熱和短路的影響。在過(guò)載情況下,通道自動(dòng)關(guān)閉并重新打開(kāi),以保持結(jié)溫在TTSD和TR之間。如果這種情況使外殼溫度達(dá)到TCSD,過(guò)載的通道將被關(guān)閉,只有在外殼溫度下降到TCR時(shí)才重新啟動(dòng)。如果有一個(gè)以上的通道處于過(guò)載狀態(tài),過(guò)載通道的重新啟動(dòng)不是同時(shí)進(jìn)行的,以避免來(lái)自電源的高峰值電流。非過(guò)載通道繼續(xù)正常工作。漏極開(kāi)路的診斷輸出指示過(guò)熱情況。、
規(guī)格
系列: VIPower?
開(kāi)關(guān)類(lèi)型: 通用
輸出數(shù): 4
比率 - 輸入:輸出: 1:1
輸出配置: 高端
輸出類(lèi)型: N 通道
接口: 開(kāi)/關(guān)
電壓 - 負(fù)載: 10.5V ~ 36V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :不需要
電流 - 輸出(最大值): 700mA
導(dǎo)通電阻(典型值): 80 毫歐(最大)
輸入類(lèi)型: 非反相
特性: 狀態(tài)標(biāo)志
故障保護(hù): 限流(固定),超溫
工作溫度: -40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類(lèi)型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PowerSSO-24
封裝/外殼: 24-PowerBSOP(0.295",7.50mm 寬)
基本產(chǎn)品編號(hào): VNI4140
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STW48N60M6
STW48N60M6 是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET,屬于 MDmesh? M6 系列。STF22NM60N
STF22NM60N是采用第二代 MDmesh? 技術(shù)開(kāi)發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。STM32F302K8U6TR
STM32F302K8U6TR 是 STMicroelectronics 推出的一款基于 ARM Cortex-M4 內(nèi)核的高性能微控制器VN7140ASTR
VN7140ASTR是單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,采用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的 VIPower M0-7 技術(shù)制造,采用 SO-8 封裝。STA5635
STA5635 是一款高性能、高集成度的射頻前端模塊 (FEM),專(zhuān)為 2.4 GHz 無(wú)線(xiàn)通信應(yīng)用設(shè)計(jì)。VND7030AJTR
VND7030AJTR該器件是一款雙通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,采用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的 VIPower M0- 7 技術(shù)制造,采用 PowerSSO-16 封裝。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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