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GS-065-018-2-L-TR 是一款 650V 增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性可实现高电流、高电压击穿和高开关频率。GaN Systems 通过业界领先的创新技术，如获得专利的 Island Technology® 单元布局，实现了大电流芯片和高产量。GS-065-018-2-L-TR 是一种底部冷却型晶体管，具有结壳热阻低的特点，适用于要求苛刻的高功率应用。这些特性结合在一起，可提供极高效率的功率开关。

特性

650 V 增强型功率晶体管

850 V 漏极至源极瞬态电压

底部冷却、8x8 毫米 PDFN 封装

RDS(on) = 78 mΩ

IDSmax,DC = 18 A / IDSmax,Pulse = 35 A

简单栅极驱动要求（0 V 至 6 V）

瞬态容差栅极驱动（-20 V / +10 V）

开关频率高（> 1 MHz）

快速可控的下降和上升时间

反向导通能力

零反向恢复损耗

用于优化栅极驱动的源检测 (SS) 引脚

符合 RoHS 3 (6+4) 标准

应用

消费和工业电源

电源适配器

LED 照明驱动器

快速电池充电

功率因数校正

家电和工业电机驱动器

无线电力传输

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。