商品名稱:NV6123
數(shù)據(jù)手冊(cè):NV6123.pdf
品牌:Navitas
年份:21+
封裝:QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NV6123 是流行的 NV6113 650 V GaNFast? 電源 IC 的熱增強(qiáng)版本,針對(duì)高頻和軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。 FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯的單片集成創(chuàng)建了一個(gè)易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出”高性能動(dòng)力系統(tǒng)構(gòu)建塊,使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建世界上最快、最小、最高效的集成動(dòng)力系統(tǒng)。 最高的 dV/dt 抗擾度、高速集成驅(qū)動(dòng)器和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的薄型、低電感、6 x 8 mm SMT QFN 封裝使設(shè)計(jì)人員能夠利用 Navitas GaN 技術(shù)和簡(jiǎn)單、快速、可靠的解決方案實(shí)現(xiàn)突破性的功率密度和效率 .
Navitas 的 GaNFast? 電源 IC 將反激式、半橋式、諧振式等傳統(tǒng)拓?fù)涞墓δ軘U(kuò)展到 MHz+,并實(shí)現(xiàn)了突破性設(shè)計(jì)的商業(yè)引入。
特征
GaNFast? 電源 IC
? NV6117 的熱增強(qiáng)版本
? 大冷卻墊
? 使用 CS 電阻時(shí)增強(qiáng)散熱
? 單片集成柵極驅(qū)動(dòng)器
? 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)
? 可編程開啟 dV/dt
? 200 V/ns dV/dt 抗擾度
? 800 V 瞬態(tài)電壓額定值
? 650 V 連續(xù)額定電壓
? 低 125 mΩ 電阻
? 零反向恢復(fù)電荷
? ESD 保護(hù) – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)
? 2 MHz 操作
小型、薄型 SMT QFN
? 6 x 8 mm 占用空間,0.85 mm 輪廓
? 最小化封裝電感
可持續(xù)性
? RoHS、無鉛、符合 REACH 標(biāo)準(zhǔn)
? 與硅解決方案相比,節(jié)能高達(dá) 40%
? 系統(tǒng)級(jí) 4kg CO2 碳足跡減少
拓?fù)?應(yīng)用
? AC-DC、DC-DC、DC-AC
? QR 反激、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC 諧振、D 類
? 無線電源、太陽能微型逆變器、LED 照明、TV SMPS、服務(wù)器、電信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)新的電動(dòng)汽車 (EV) 設(shè)計(jì)中心,進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場(chǎng)。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布推出全新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFas…
NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導(dǎo)阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開關(guān)頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器,無需外置驅(qū)動(dòng)器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功能擴(kuò)展到 MHz 以上,使突破性設(shè)計(jì)得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6117-RA
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對(duì)高頻軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、驅(qū)動(dòng)和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個(gè)易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動(dòng)力總成構(gòu)件,使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉(zhuǎn)換器。最高的 dV/…NV6132A-RA
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅(qū)動(dòng)的高性能 eMode GaN FET,可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。它還集成了 GaNSense? 技術(shù),可實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確地檢測(cè)電壓、電流和溫度,從而進(jìn)一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實(shí)現(xiàn)的?!?/span>NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅(qū)動(dòng)- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導(dǎo)通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。功能特點(diǎn)單片集成柵極驅(qū)動(dòng)寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。功能特點(diǎn)單片集成柵極驅(qū)動(dòng)寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓120 mΩ 低電阻零反向恢復(fù)…電話咨詢:86-755-83294757
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