商品名稱:射頻放大器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TSNP-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
BGA8U1BN6E6327XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪聲放大器,頻率范圍從 4.0 GHz 到 6.0 GHz。LNA 的增益為 13.7 dB,噪聲系數(shù)為 1.6 dB,電流消耗為 4.5mA。在旁路模式下,LNA 的插入損耗為 7.5 dB。
BGA8U1BN6E6327XSA1 基于英飛凌科技 B7HF 硅鍺技術。它的工作電源電壓為 1.6 V 至 3.1 V。該器件具有多態(tài)控制功能(關斷、旁路和高增益模式)。
功能特點
插入功率增益:13.7 dB
旁路模式下的插入損耗:7.5 dB 7.5 dB
噪聲系數(shù)低 1.6 分貝
低電流消耗 4.5 mA
工作頻率 4.0 - 6.0 千兆赫
多狀態(tài)控制: 關斷、旁路和高增益模式
電源電壓:1.6 V 至 3.1 V
超小型 TSNP-6-2 無引線封裝(占地面積:0.7 x 1.1 mm2)
B9HF 硅鍺技術
射頻輸入和射頻輸出內(nèi)部匹配為 50 歐姆
無需外部 SMD 元件
2kV HBM ESD 保護(包括 AI 引腳)
無鉛(符合 RoHS 規(guī)范)封裝
應用
用于 4-6 GHz 超高頻帶的低噪聲放大器
移動設備和智能手機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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