TLE49SRC8 - 帶 PWM/SENT/SPC 接口的雜散磁場穩(wěn)健角度傳感器 XENSIV? 磁位置傳感器
TLE49SRC8 - 產(chǎn)品描述:
TLE49SRC8 是一款基于霍爾技術(shù)的雜散場穩(wěn)健角度傳感器,用于測量 0° 至 360° 范圍內(nèi)的絕對角位置。傳感器提供數(shù)字輸出接口。集成電路 (IC) 上采用了空間隔離的霍爾單元和信號調(diào)理電路,從而實(shí)現(xiàn)了磁場的雜散場穩(wěn)健測量。
TLE49SRC8 - 主要特點(diǎn):
固有雜散磁場魯棒性
基于差分霍爾的角度傳感器
360° 角度測量
角速度信息
PWM、SPC、SENT(基于 SAE J2716-2016)接口
SMD 封裝
最大 在使用壽命和溫度范圍內(nèi),+/-1° 固有角度誤差
高電壓和反極性能力
在輸出端以 14 位 360° 表示絕對角度值
用于存儲配置(如零角)和客戶特定 ID 的 EEPROM
ISO 26262 安全要素,滿足 ASIL C(D) 以下的安全要求
用于修正系統(tǒng)角度誤差(如磁路)的查找表
SPC 框架裝置
輸出引腳上的單線 SICI 編程接口
TLE49SRC8 - 潛在應(yīng)用:
底盤高度傳感器
踏板位置傳感器
節(jié)氣門位置傳感器
轉(zhuǎn)向角傳感器
雨刷位置傳感器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。SPD06N80C3
SPD06N80C3(MOSFET 晶體管):800V,CoolMOS? 功率晶體管,PG-TO252-3 型號:SPD06N80C3封裝:PG-TO252-3 類型:CoolMOS? 功率晶體管SPD06N80C3——產(chǎn)品屬性:系列:CoolMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…IPA60R099P7
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計(jì)過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電SPA11N80C3
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。SPA11N80C3 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 VId - 漏極連續(xù)電流:11 ARds On - 漏極-源極電阻:450 mOhmsVgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 VVgs th - 柵極…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: