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TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFET

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：62 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 6.7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：57 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：182W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L（X）

封裝/外殼：TO-247-4

概述

Toshiba 1200V第三代碳化硅MOSFET 設(shè)計(jì)用于大功率工業(yè)應(yīng)用，例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。 這些MOSFET采用SiC技術(shù)，大大有助于降低功耗和提高功率密度。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高電壓、更快開關(guān)和更低導(dǎo)通電阻。除了低輸入電容、公共柵極輸入電荷和低至15mΩ 的漏極-源極導(dǎo)通電阻外，該設(shè)計(jì)還增強(qiáng)了可靠性。

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