ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR 硅光電倍增管 (SiPM) - 近紅外增強型,用于汽車激光雷達應(yīng)用
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR - 產(chǎn)品描述:
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR 硅光電倍增管 (SiPM) 是一種高增益、單光子敏感型傳感器,用于檢測可見光至近紅外波長。ArrayRDM-0112A20-QFN 是基于市場領(lǐng)先的 RDM 工藝的單片式 1 × 12 SiPM 像素陣列。RDM 工藝專門開發(fā)用于在 905/940nm 近紅外波長(通常用于激光雷達和 3D dToF 測距應(yīng)用)上實現(xiàn)高 PDE(光子檢測效率)的產(chǎn)品。
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR - 產(chǎn)品特性:
高增益和探測效率
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)
1 x 12 像素陣列格式
905 納米波長下的 PDE 為 16
30 V 偏置電源
0.47 mm x 1.12 mm 像素尺寸
QFN 封裝(10 毫米 x 5.2 毫米)
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR - 應(yīng)用:
3D 測距和傳感
汽車激光雷達
工業(yè)激光雷達
消費類 3D 成像
機器人
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…NVBG032N065M3S
NVBG032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET采用全新的技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。產(chǎn)品…電話咨詢:86-755-83294757
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