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產(chǎn)品分類

AI 處理器

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商品型號:IXSA80N120L2-7

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:IXYS

年份:25+

封裝:TO-263-7L

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
IXYS
型號
IXSA80N120L2-7
封裝
TO-263-7L
描述
1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。


主要特性

低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。

低柵極驅(qū)動功率要求?:柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。

低熱管理需求?:該MOSFET的熱管理需求低,適合在各種工業(yè)應(yīng)用中使用。

快速切換?:具有高速切換特性,適用于需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場景。

高阻斷電壓?:能夠承受1200V的高電壓。

低輸入電容?:輸入電容Ciss為3000pF,有助于減少開關(guān)損耗。

高結(jié)溫?:最大虛擬結(jié)溫為175°C,適合在高溫環(huán)境下使用。


IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET適用于以下領(lǐng)域:

太陽能逆變器?

開關(guān)模式電源供應(yīng)?

不間斷電源(UPS)?

電機(jī)驅(qū)動?

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IXYS

IXYS

IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…

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