商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:13100 件
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET,采用 TDSON-8封裝,屬于 OptiMOS? 5系列。該器件專為高效電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì),適用于服務(wù)器電源、通信設(shè)備、太陽能逆變器、低壓驅(qū)動(dòng)及適配器等應(yīng)用。其優(yōu)化的低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 和 高開關(guān)頻率 特性,可顯著提升系統(tǒng)效率并降低功耗。
核心特性
低導(dǎo)通電阻(RDS(on))
5.2mΩ @ VGS=10V, ID=47.5A,減少導(dǎo)通損耗。
相比上一代產(chǎn)品,RDS(on)降低高達(dá)43%,提高功率密。
連續(xù)漏極電流(ID):95A
脈沖漏極電流(IDM):380A,適用于高瞬態(tài)負(fù)載。
上升時(shí)間:7ns
下降時(shí)間:5ns,減少開關(guān)損耗。
低熱阻封裝(TDSON-8),提升散熱效率。
工作溫度范圍:-55°C ~ +150°C,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。
低柵極電荷(Qg)32nC @ VGS=10V,降低驅(qū)動(dòng)損耗,提高效率。
關(guān)鍵參數(shù)
型號:BSC052N08NS5
漏源電壓(VDS): 80 V
連續(xù)漏極電流(ID): 95 A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 5.2mΩ(@10V, 47.5A)
柵極電荷(Qg) 32 nC(@10V)
輸入電容(Ciss) 2.9nF(@40V)
開關(guān)頻率:100kHz
封裝:TDSON-8
潛在應(yīng)用
通信
服務(wù)器
太陽能
低壓驅(qū)動(dòng)器
輕型電動(dòng)車
適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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