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商品型號(hào):IPW65R080CFD

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-TO-247

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:12000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPW65R080CFD
封裝
PG-TO-247
描述
MOSFET N-通道 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

產(chǎn)品描述

IPW65R080CFD是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的高性能 N 通道 MOSFET 芯片,屬于 CoolMOS? 系列。該芯片采用先進(jìn)的工藝制造,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。


技術(shù)參數(shù)

型號(hào):IPW65R080CFD

制造商:Infineon

類型:N-通道 MOSFET

封裝:TO-247-3

最大漏源電壓 VDS:650 V

最大柵極源極電壓 VGS:±20 V

最大連續(xù)漏電流 ID:43.3 A

導(dǎo)通電阻 RDS(on):80 mΩ(典型值,在 VGS=10V 時(shí))

總功耗:391 W

工作溫度范圍: -55°C 至 +150°C

開關(guān)頻率:高達(dá) 1 MHz

閾值電壓 Vgs(th):4V@1.8mA

柵極電荷量 Qg:167nC@10V

輸入電容 Ciss :5.03nF@100V


IPW65R080CFD 產(chǎn)品特性

極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on):有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。

快速開關(guān)性能:能夠支持高頻應(yīng)用,同時(shí)保持較低的開關(guān)損耗。

高擊穿電壓(650V):使其非常適合高壓環(huán)境下的使用。

優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性:能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行。

內(nèi)置反向二極管:簡化了電路設(shè)計(jì)并增強(qiáng)了功能集成度。

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPD60R950C6

INFINEON

PG-TO252

5000

600V CoolMOS?C6 功率晶體管

IPB133N12NM6

INFINEON

PG-TO263-3

5000

120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPB020N10N5LF

INFINEON

PG-TO263-3

5000

100V,OptiMOS? 5 線性 FET 晶體管,PG-TO263-3

IRF8736TRPBF

INFINEON

SO-8

5000

30V、單 N溝道 HEXFET 功率 MOSFET晶體管、SO-8

IPB035N12NM6

INFINEON

PG-TO263-3

5000

120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPP60R280P7

INFINEON

PG-TO220-3

5000

600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) MOSFET 晶體管,PG-TO220-3

IPB60R360P7

INFINEON

PG-TO263-3

5000

600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPB60R080P7

INFINEON

PG-TO263-3

5000

600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPB048N15N5LF

INFINEON

PG-TO263-3

5000

150V,OptiMOS ?5 線性 FET 晶體管,PG-TO263-3

IPW60R024CM8

INFINEON

TO247-3

2000

600V CoolMOS? 8 N溝道功率MOSFET晶體管

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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