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  • ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè)

    ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè)

    明佳達(dá)只做原裝正品,推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè),價(jià)格優(yōu)勢(shì),質(zhì)量保證,歡迎咨詢(xún)QQ:1668527835電話(huà):13410018555 郵箱:chen13410018555@163.com、sales@hkmjd.com

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-05 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 2022年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備增長(zhǎng)18%至144億

    2022年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備增長(zhǎng)18%至144億

    到2022年,物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)18%,達(dá)到144億活躍連接。 預(yù)計(jì)到2025年,隨著供應(yīng)限制的緩解和增長(zhǎng)的進(jìn)一步加速,將有大約270億臺(tái)聯(lián)網(wǎng)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-03 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 新的5G網(wǎng)絡(luò)增加了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、人員和服務(wù)之間的連接

    新的5G網(wǎng)絡(luò)增加了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、人員和服務(wù)之間的連接

    新的5G網(wǎng)絡(luò)增加了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、人員和服務(wù)之間的連接。數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商必須快速將容器和虛擬服務(wù)器轉(zhuǎn)換為云服務(wù)和邊緣計(jì)算,否則就有被甩在后面的風(fēng)險(xiǎn)。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-03 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • Meta與高通共同簽署協(xié)議為VR設(shè)備生產(chǎn)定制芯片

    Meta與高通共同簽署協(xié)議為VR設(shè)備生產(chǎn)定制芯片

    據(jù)報(bào)道,F(xiàn)acebook 母公司 Meta 和高通公司今日在“柏林消費(fèi)電子展”上宣布,雙方已簽署一項(xiàng)協(xié)議,由高通為 Meta 的 Quest 虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)設(shè)備生產(chǎn)定制芯片組。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-03 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 到2026年,全球衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)基數(shù)將超2000萬(wàn)

    到2026年,全球衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)基數(shù)將超2000萬(wàn)

    衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)的數(shù)量將以 40.3% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 增長(zhǎng),到 2026 年將達(dá)到 2120 萬(wàn)臺(tái)。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-02 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • IDC:2022上半年中國(guó)AR/VR頭顯市場(chǎng)出貨超50萬(wàn)臺(tái),消費(fèi)者市場(chǎng)占比持續(xù)提升

    IDC:2022上半年中國(guó)AR/VR頭顯市場(chǎng)出貨超50萬(wàn)臺(tái),消費(fèi)者市場(chǎng)占比持續(xù)提升

    今日,IDC 發(fā)布報(bào)告稱(chēng),2022 年第二季度,中國(guó) AR / VR 頭顯出貨 30.9 萬(wàn)臺(tái),包括 AR 出貨 1.2 萬(wàn)臺(tái)、VR 出貨 29.7 萬(wàn)臺(tái)。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-02 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 通用汽車(chē)和 LG 新能源合資電池廠已開(kāi)始生產(chǎn)

    通用汽車(chē)和 LG 新能源合資電池廠已開(kāi)始生產(chǎn)

    據(jù)外媒報(bào)道,通用汽車(chē)和 LG 能源解決方案在俄亥俄州投資 23 億美元的合資電池生產(chǎn)廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-02 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 英偉達(dá)、AMD對(duì)中俄出口高端GPU芯片受新限制

    英偉達(dá)、AMD對(duì)中俄出口高端GPU芯片受新限制

    英偉達(dá)公司當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三表示,美國(guó)官員要求其停止向中國(guó)出口兩種用于人工智能工作的頂級(jí)計(jì)算芯片,此舉可能會(huì)削弱中國(guó)公司開(kāi)展圖像識(shí)別等高級(jí)工作的能力。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 瑞薩電子推出用于電動(dòng)車(chē)逆變器的新一代Si-IGBT

    瑞薩電子推出用于電動(dòng)車(chē)逆變器的新一代Si-IGBT

    瑞薩電子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基絕緣柵雙極晶體管)器件——該產(chǎn)品可以更小的尺寸帶來(lái)更低的功率損耗,將應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)逆變器上。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • SA:2022年Q1高通以 59.5% 的份額領(lǐng)跑基帶市場(chǎng)

    SA:2022年Q1高通以 59.5% 的份額領(lǐng)跑基帶市場(chǎng)

    根據(jù)Strategy Analytics統(tǒng)計(jì),高通以59.5%的份額牢牢占據(jù)基帶芯片市場(chǎng)第一,聯(lián)發(fā)科份額為26.7% 排名第二,三星LSI以5.8% 的份額排名第三。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 供應(yīng)和收購(gòu)MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車(chē) MOSFET 1200V

    供應(yīng)和收購(gòu)MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車(chē) MOSFET 1200V

    明佳達(dá)供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B、FS03MR12A6MA1BBPSA1,全新原裝,質(zhì)量保證,價(jià)格優(yōu)勢(shì),有庫(kù)存呆料需處理的歡迎聯(lián)系,公司還回收一系列模塊如:5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、車(chē)規(guī)級(jí)、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍(lán)牙5.0、以太網(wǎng)、…

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A

    碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A

    深圳明佳達(dá)電子公司供應(yīng)及收購(gòu)碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2。

    來(lái)源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
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