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Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三電平1200 V CoolSiC? MOSFET Easy模塊

Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三電平1200 V CoolSiC? MOSFET Easy模塊

來源：本站時間：2024-08-08瀏覽數(shù)：

F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK? 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊，采用具有增強型第一代溝槽技術(shù)的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術(shù)。特性? 電氣特性- VDSS = 1200 V- IDN = 100 A / IDRM = 200 A- 高電流密度- 低…

F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK? 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊，采用具有增強型第一代溝槽技術(shù)的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術(shù)。

產(chǎn)品封裝.png

特性

? 電氣特性

- VDSS = 1200 V

- IDN = 100 A / IDRM = 200 A

- 高電流密度

- 低開關(guān)損耗

? 機械特性

- 集成的安裝夾使安裝堅固

- 集成 NTC 溫度傳感器

- PressFIT 壓接技術(shù)

- 預涂導熱介質(zhì)


應用

? 太陽能應用

? 三電平應用

? 電動車直流充電


產(chǎn)品認證

? 根據(jù) IEC 60747、60749 和 60068 標準的相關(guān)測試，符合工業(yè)應用的要求。


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