品牌:
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫存
購買數(shù)量
單價
操作
產(chǎn)品說明:150V,OptiMOS? N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-TDSON-8
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說明:1200 V 碳化硅肖特基二極管,采用 TO-247-3 封裝
封裝:PG-TO247-3產(chǎn)品說明:汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
封裝:PowerFLAT? 5x6產(chǎn)品說明:N溝道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封裝
封裝:TO-247產(chǎn)品說明:功率驅動器模塊 IGBT 3 相 600 V 20 A 27-PowerDIP 模塊(1.205",30.60mm)
封裝:DIP產(chǎn)品說明:橋式整流器 Three Phase 標準 1.6 kV QC 端子 FO-B
封裝:FO-B-5產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的60 mm晶閘管/二極管模塊,2200 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的34 mm晶閘管/二極管模塊,2200 V
封裝:BG-PB34-1產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的20 mm晶閘管/二極管模塊,1400 V
封裝:BG-PB20-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的20 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-SB20-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的50 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB50SB-1電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: