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NTBG030N120M3S 1200V M3S系列SiC（碳化矽）MOSFET針對快速開關應用進行了優(yōu)化，并提供低22mΩ的漏極-源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET由18V柵極驅動驅動時可提供最佳性能，但也可與15V柵極驅動配合使用。該設備采用平面技術，可在柵極處于負柵極電壓驅動和關斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：72A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 40A， 18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 20mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：142 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3175 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：234W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應用

● 交流-直流轉換

● 直流-交流轉換

● 直流-直流轉換

● 開關模式電源（SMPS）

● UPS

● 電動汽車充電器

● 太陽能逆變器

● 能量存儲器系統

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