NVMFS5113PLWFT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。提供用于增強光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。
技術(shù)規(guī)格
FET 類型: P 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :10A(Ta),64A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 14 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 83 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 4400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),150W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級: 汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN,5 引線
應(yīng)用
電源
電磁驅(qū)動器
負(fù)載開關(guān)
電機(jī)驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ON
8-WDFN
3000
表面貼裝型 P 通道 30 V 13.4A(Ta),47.6A(Tc) 2.66W(Ta),33.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
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FSBB10CH120DFL
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AP0101AT2L00XPGA0-DR2 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬像素高動態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實現(xiàn)多種攝像頭價格和性能點,能夠重用電路板設(shè)計,進(jìn)入市場快,實現(xiàn)設(shè)計靈活性。傳感器性能由于減…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S 是一款650V碳化硅 (SiC) MOSFET。新型的 650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作。產(chǎn)品屬性:晶體管極…NVBG032N065M3S
NVBG032N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET采用全新的技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。產(chǎn)品…電話咨詢:86-755-83294757
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