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NTBGS1D5N06C單N溝道功率MOSFET是一款小尺寸、設(shè)計緊湊的MOSFET，具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗，低電容可最大限度降低驅(qū)動器損耗。這些單N溝道功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，工作溫度范圍為- 55°C至175°。

參數(shù)：

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：35A（Ta），267A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，12V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.55 毫歐 @ 64A，12V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 318μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 78.6 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） ：6250 pF @ 30 V  

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），211W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： TO-263（D2PAK）  

封裝/外殼： TO-263-7，D2PAK（6 引線 + 凸片） 

典型應(yīng)用

電動工具、電池驅(qū)動真空吸塵器

無人機/無人駕駛飛機、材料處理

BMS/ 存儲、家庭自動化

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。