商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:TO-247N-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。
RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)
通過 AEC-Q101 認(rèn)證
短路耐受時(shí)間 10μs
集電極-發(fā)射極飽和電壓低
內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD
無鉛鍍鉛;符合 RoHS 規(guī)范
RGA80TSX2EHRC11 的應(yīng)用
汽車和工業(yè)用通用變頻器
高壓加熱器
繼電器電路(例如預(yù)充電繼電器)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流…電話咨詢:86-755-83294757
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