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商品名稱(chēng):MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IPT023N10NM5LF2:100V、2.3mΩ、243A OptiMOS? 5 單 N 溝道線性 FET 2 晶體管
型號(hào):IPT023N10NM5LF2
封裝:PG-HSOF-8
類(lèi)型:OptiMOS? 5 單N-通道MOSFET晶體管
IPT023N10NM5LF2 是 100V、2.3mΩ、243A OptiMOS? 5 單 N 溝道線性 FET 2 晶體管,采用 TOLL 封裝。OptiMOS? 5 線性 FET 2 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通電阻和線性模式能力之間的最佳權(quán)衡。結(jié)合 TOLL 封裝,IPT023N10NM5LF2 適用于電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的浪涌電流保護(hù),例如熱插拔、電子保險(xiǎn)絲和電池保護(hù)。
IPT023N10NM5LF2 - 產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 243 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.9 V
Qg-柵極電荷: 115 nC
最小工作溫度: - 55℃
最大工作溫度: + 175℃
Pd-功率耗散: 300 W
應(yīng)用:
電池管理系統(tǒng)
電信基礎(chǔ)設(shè)施
服務(wù)器電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S25HS02GTDPBHB053
S25HS02GTDPBHB053是 SEMPER? NOR 閃存汽車(chē)系列的一員。它采用四 SPI 接口,接口帶寬為 102 MByte/s,密度為 2 Gbit。它采用 1.8V 工作電壓和 HS-T 封裝。該器件符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn),支持 SDR (166 MHz) 和 DDR (102 MHz) 接口頻率。詳細(xì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 PG-BGA-24 英飛凌封…S25HL02GTDPBHM050
S25HL02GTDPBHM050 屬于 SEMPER? NOR 閃存系列。這款高密度、2 Gbit 存儲(chǔ)器芯片具有帶寬為 66 MByte/s 的 Quad SPI 接口,工作電壓為 3V。它采用英飛凌創(chuàng)新的 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù),并具有統(tǒng)一和混合配置的扇區(qū)架構(gòu)選項(xiàng)。它采用 PG-BGA-24 封裝。S25HL02GTDPBHM050…S29GL01GS10FAI013
S29GL01GS10FAI013是采用65納米工藝技術(shù)制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達(dá)15納秒的快速頁(yè)面訪問(wèn)時(shí)間,對(duì)應(yīng)隨機(jī)訪問(wèn)時(shí)間低至90納秒。其寫(xiě)入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標(biāo)準(zhǔn)編程算法。此特性使其成為當(dāng)今嵌入式應(yīng)用的理想…S29GL512S10FAI013
S29GL512S10FAI013是采用65納米工藝技術(shù)制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達(dá)15納秒的快速頁(yè)面訪問(wèn)時(shí)間,對(duì)應(yīng)隨機(jī)訪問(wèn)時(shí)間低至90納秒。其寫(xiě)入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標(biāo)準(zhǔn)編程算法。此特性使其成為當(dāng)今嵌入式應(yīng)用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65納米工藝技術(shù)制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達(dá)15納秒的快速頁(yè)面訪問(wèn)時(shí)間,對(duì)應(yīng)隨機(jī)訪問(wèn)時(shí)間低至90納秒。其寫(xiě)入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標(biāo)準(zhǔn)編程算法。此特性使其成為當(dāng)今嵌入式應(yīng)用的理想…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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