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IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET? 系列 的一款 N溝道功率MOSFET，采用 TO-220AB封裝，適用于高電流開關、電源轉換及電機驅動等應用。該器件憑借低導通電阻、高電流承載能力及優(yōu)異的散熱性能，成為工業(yè)與汽車電子領域的優(yōu)選方案。

特性（IRFB3306GPBF）

符合行業(yè)標準的通孔式電源封裝

高電流額定值

符合JEDEC標準的產品認證

針對開關頻率低于<100 kHz的應用優(yōu)化的硅材料

與上一代硅材料相比，體二極管更柔和

提供廣泛的產品組合

技術參數（IRFB3306GPBF）

漏源電壓 ：60V

連續(xù)漏極電流 ：在 25°C 時為 160A，當結溫為 150℃時為 120A

導通電阻 ：最大值為 4.2mΩ @ 75A，10V，典型值為 3.3mΩ @ 79A，10V，1.9mΩ @ 112A，10V

柵極閾值電壓 ：最大值為 4V @ 150μA

柵極電荷量 ：最大值為 120nC @ 10V

輸入電容 ：最大值為 4520pF @ 50V

反向傳輸電容 ：最大值為 250pF

耗散功率 ：最大值為 230W（Tc）

工作溫度 ：-55℃~+175℃（TJ）

優(yōu)勢（IRFB3306GPBF）

標準引腳布局支持直接替換

高電流承載能力封裝

符合行業(yè)標準的認證級別

在低頻應用中表現出色

提升功率密度

為設計師提供靈活性，可選擇最適合其應用的器件

應用（IRFB3306GPBF）

開關電源中的高效率同步整流

不間斷電源

高速電源開關

硬開關和高頻電路

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。