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深圳明佳達電子有限公司 回收ST功率晶體管：IGBT、功率MOSFET、功率GaN、SiC MOSFET

深圳明佳達電子有限公司作為中國領先的電子元件回收服務提供商，憑借其專業(yè)的行業(yè) expertise、全球回收網(wǎng)絡及符合規(guī)范的處置流程，為各類企業(yè)提供涵蓋多種電子元件產(chǎn)品的全面回收服務。這些服務涵蓋廣泛的產(chǎn)品類別，包括集成電路、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍牙IC、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）IC、汽車級IC、通信IC、人工智能（AI）IC、存儲IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、 Wi-Fi芯片、無線通信模塊、連接器等。這有助于客戶減少庫存、最小化存儲空間，并降低存儲和管理成本。

回收流程：

如果您有需要處理的庫存電子元件，您可以通過郵件列出您希望出售的IC/模塊。我司將派遣專業(yè)人員到貴公司現(xiàn)場進行初步檢查和分類，并根據(jù)回收元件的類型、數(shù)量和質(zhì)量等因素提供相應的回收價格。達成協(xié)議后，可協(xié)商具體的交付安排。

【IGBTs】

ST提供涵蓋300至1700V電壓范圍的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）全面產(chǎn)品組合，屬于STPOWER系列。

導通與關斷能量損耗的最佳平衡

最高結溫可達175°C

寬廣的開關頻率范圍

提供抗并聯(lián)二極管封裝選項，以提升功率散熱并實現(xiàn)最佳熱管理。

應用領域

ST IGBT 通過在開關性能與導通狀態(tài)行為之間實現(xiàn)最佳平衡，適用于工業(yè)及汽車（AEC-Q101 認證）領域，包括通用逆變器、電機控制、家用電器、暖通空調(diào)、UPS/SMPS、焊接設備、感應加熱、太陽能逆變器、牽引逆變器以及車載充電器與快充設備等應用。

【功率MOSFET】

ST功率MOSFET產(chǎn)品組合提供從-100V到1700V的廣泛擊穿電壓范圍，結合先進封裝技術、低柵極電荷和低導通電阻。我們的工藝技術通過增強功率處理能力，利用MDmesh和STMESH溝槽式高壓功率MOSFET以及STripFET低壓功率MOSFET，確保高效率解決方案。

應用領域

服務器與電信電源

微型逆變器

快速充電

汽車

家用及專業(yè)電器

【PowerGaN】

ST POWER GaN 晶體管是基于氮化鎵（GaN）的高效晶體管，這種新型寬禁帶化合物在電源轉換解決方案中提供了真正的附加價值。

當今電力電子技術面臨的主要挑戰(zhàn)是，在不斷提升效率和功率性能的同時，持續(xù)追求成本和體積的縮減。

氮化鎵（GaN）技術的引入正朝著這一方向發(fā)展，隨著其商業(yè)化應用的日益普及，其在電源轉換應用中的使用也在不斷增長。

與硅基器件相比，GaN功率晶體管具有更優(yōu)的性能指標（FOM）、更低的導通電阻（RDS(on)）和更小的總柵極電荷（QG），同時具備更高的漏源電壓承受能力、零反向恢復電荷（或在級聯(lián)結構中可忽略不計）以及極低的內(nèi)在電容。作為提升電源轉換應用效率的領先解決方案，GaN技術能夠滿足最嚴苛的能效要求并實現(xiàn)更高功率密度，因其可在更高頻率下工作，從而縮小系統(tǒng)尺寸。STPOWER GaN晶體管在工業(yè)和汽車應用中代表了效率與高頻解決方案的重大突破。

【SiC MOSFETs】

借助STPOWER SiC MOSFETs打造比以往更高效、更緊湊的系統(tǒng)

借助SiC MOSFET，將創(chuàng)新的寬禁帶材料（WBG）優(yōu)勢融入您的下一代設計。ST的碳化硅MOSFET提供650至2200 V的擴展電壓范圍，其先進技術平臺結合了卓越的開關性能與極低的單位面積導通電阻。

我們的SiC MOSFET主要特點包括：

汽車級（AG）認證器件

極高的溫度處理能力（最大TJ=200°C）

極高的開關頻率操作和極低的開關損耗

低導通電阻

與現(xiàn)有IC兼容的柵極驅動

極快且堅固的內(nèi)在體二極管

我們的SiC MOSFET產(chǎn)品組合包括最先進的封裝（HiP247、H2PAK-7、TO-247長引腳、STPAK和HU3PAK），專門設計以滿足汽車和工業(yè)應用的嚴格要求。