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SPD15P10PL是 STMicroelectronics 推出的一款 P 溝道功率 MOSFET，采用先進(jìn)的 STripFET? VI 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特點，適用于各種功率開關(guān)應(yīng)用。

SPD15P10PL產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)): 低至 0.15 Ω，有效降低導(dǎo)通損耗，提高效率。

高電流能力: 連續(xù)漏極電流 (I_D) 高達(dá) -10 A，滿足高功率應(yīng)用需求。

快速開關(guān)速度: 低柵極電荷 (Q_g) 和低反向恢復(fù)電荷 (Q_rr)，實現(xiàn)快速開關(guān)，降低開關(guān)損耗。

優(yōu)異的熱性能: 低熱阻 (R_thJC)，確保良好的散熱性能，提高可靠性。

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn): 符合環(huán)保要求，安全可靠。

SPD15P10PL 產(chǎn)品屬性

FET 類型： P 通道  

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 15A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 200 毫歐 @ 11.3A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2V @ 1.54mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 62 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 128W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO252-3  

封裝/外殼： TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63 

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