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NTMFS003P03P8Z是一款由（onsemi）制造的單 P 通道功率MOSFET，具有-30 V的漏源電壓和 -234 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為1.8 mΩ，工作溫度范圍為-55℃至+150℃，適用于各種高功率應(yīng)用場景?。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19.1A（Ta），234A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 23A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：167 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12120 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：900mW（Ta），139W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SO-8FL

NTMFS003P03P8Z 典型應(yīng)用

? 電力負(fù)載開關(guān)

? 保護(hù)：反向電流、過壓和反向負(fù)電壓

? 電池管理

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